[实用新型]一种砷化镓太阳能电池有效
申请号: | 201720539219.8 | 申请日: | 2017-05-15 |
公开(公告)号: | CN206961839U | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 贾锐;孙恒超;陶科;姜帅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵秀芹,王宝筠 |
地址: | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种砷化镓太阳能电池,其包括砷化镓太阳能电池外延结构;形成于所述砷化镓太阳能电池外延结构正面上的石墨烯层和金属电极,所述石墨烯层与所述金属电极之间形成电连接;电连接的所述石墨烯层与所述金属电极构成所述砷化镓太阳能电池的复合正面电极;形成于所述砷化镓太阳能电池外延结构背面上的背面电极。本申请提供的砷化镓太阳能电池利用石墨烯层作为砷化镓太阳能电池的部分正面电极,其可以有效地提高电极收集电流的能力,减小串联电阻,同时也可以有效地减少金属电极栅线密度和宽度,降低遮光损失,有利于砷化镓太阳能电池获得更高的开路电压、短路电流以及光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 砷化镓 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种砷化镓太阳能电池,其特征在于,包括:砷化镓太阳能电池外延结构;形成于所述砷化镓太阳能电池外延结构正面上的石墨烯层和金属电极,所述石墨烯层与所述金属电极之间形成电连接;电连接的所述石墨烯层与所述金属电极构成所述砷化镓太阳能电池的复合正面电极;形成于所述砷化镓太阳能电池外延结构背面上的背面电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201720539219.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种岩石边坡的低碳生态防护系统
- 下一篇:一种路肩复合支挡结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的