[实用新型]一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件有效
申请号: | 201720153657.0 | 申请日: | 2017-02-21 |
公开(公告)号: | CN206628490U | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 缪峰 | 申请(专利权)人: | 缪峰 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/109 |
代理公司: | 江苏银创律师事务所32242 | 代理人: | 孙计良 |
地址: | 210046 江苏省南京市仙*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件,用于检测红外线,包括绝缘衬底、第一半导体、第二半导体。第一半导体和第二半导体安装在绝缘衬底上。第一半导体和第二半导体相接触而形成异质结。第一半导体和第二半导体分别连接有电极。第一半导体为厚度不超过50nm的黑砷磷二维层状材料。第二半导体为厚度不超过50nm的硫化钼二维层状材料。相比于现有的红外探测器件,本实用新型具有很高的比探测率。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 黑砷磷 用于 红外 探测 器件 | ||
【主权项】:
一种基于黑砷磷的用于红外探测的器件,用于检测红外线,其特征在于,包括绝缘衬底、第一半导体、第二半导体;所述第一半导体和第二半导体安装在所述绝缘衬底上;所述第一半导体和第二半导体相接触而形成异质结;所述第一半导体和第二半导体分别连接有电极;所述第一半导体为黑砷磷二维层状材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的