[实用新型]单向低电容TVS器件

摘要

本实用新型提供一种单向低电容TVS器件，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步的，在单向低电容TVS器件中形成了第一普通二极管、第二普通二极管、第三普通二极管和稳压二极管，其中，所述第一普通二极管、所述第二普通二极管和所述稳压二极管串联并与所述第三普通二极管并联，由此，相较于现有技术的单向低电容TVS器件能够较大的减小电容，一般能够降低至现有电容的四分之三。

主权项

一种单向低电容TVS器件，其特征在于，所述单向低电容TVS器件包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层形成于所述第一导电类型外延层上；多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括：第一区域、第二区域、第三区域及第四区域；第一导电类型隔离，所述第一导电类型隔离形成于所述第一区域中，所述第一导电类型隔离延伸至所述第一导电类型外延层；第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区形成于所述第一区域、第二区域、第三区域及第四区域中；第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于第二区域及第三区域中。