[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201711461556.0 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108183089B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 欧甜;徐洪远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 44304 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，所述制备方法包括步骤：在薄膜晶体管层上沉积钝化材料层，所述钝化材料层包括交替设置的第一膜层和第二膜层，所述钝化材料层的顶层为所述第二膜层，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同；以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层，形成与所述光阻层对应的图案结构；在所述光阻层及暴露的所述第一膜层上沉积ITO薄膜；将所述光阻层剥离，获得阵列基板。由于不同材料的刻蚀速率不同，从而可以在间隔物的边缘与光阻的边缘形成较大的间隔，使得剥离液能够更好的对光阻进行剥离，提升剥离效率和剥离均一性，降低光阻残留的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化材料层 第一膜层 光阻层 阵列基板 剥离 刻蚀 膜层 制备 光阻 沉积 薄膜晶体管层 边缘形成 交替设置 图案结构 剥离液 间隔物 均一性 顶层 掩模 残留 暴露 概率 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n在薄膜晶体管层上沉积钝化材料层，所述钝化材料层包括交替设置的第一膜层和第二膜层，所述钝化材料层的顶层为所述第二膜层，所述第一膜层与所述第二膜层的材质不同，所述第一膜层和第二膜层交替叠层设置；/n以光阻层为掩模，对所述钝化材料层进行刻蚀，直至刻蚀至露出所述第一膜层，形成与所述光阻层对应的图案结构；/n在所述光阻层及暴露的所述第一膜层上沉积ITO薄膜；/n将所述光阻层剥离，获得阵列基板，/n其中，对所述钝化材料层进行刻蚀以形成所述图案结构时，第二膜层的刻蚀速率大于第一膜层的刻蚀速率。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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