[发明专利]一种渐变匹配耦合器有效

专利信息
申请号: 201711437296.3 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN107966761B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;张宇光;胡晓;冯朋;余少华 申请(专利权)人: 武汉邮电科学研究院
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 代理人: 彭程程
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种渐变匹配耦合器,涉及光通信集成器件领域,包括渐变二氧化硅波导、弯曲渐变硅波导和匹配区,渐变二氧化硅波导为锥形结构,宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变窄。弯曲渐变硅波导位于渐变二氧化硅波导内,其宽度逐渐变宽,且最宽端和渐变二氧化硅波导的最窄端位于同一平面,弯曲渐变硅波导的最窄端为尖端,且发生弯曲,尖端与渐变二氧化硅波导的最宽端之间的距离为d1。匹配区材料为折射率低于二氧化硅的匹配液,包覆于渐变二氧化硅波导侧壁,匹配区沿光耦合进入芯片的方向分为多个匹配分区,与渐变二氧化硅波导最宽端相接的匹配分区的长度d0小于所述d1。本发明可以减小耦合器的长度,解决背向反射高的问题。
搜索关键词: 一种 渐变 匹配 耦合器
【主权项】:
1.一种渐变匹配耦合器,其特征在于,包括:渐变二氧化硅波导,其为锥形结构,其宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变窄;弯曲渐变硅波导,其位于所述渐变二氧化硅波导内,其宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变宽,且其最宽端和所述渐变二氧化硅波导的最窄端位于同一平面,所述弯曲渐变硅波导的最窄端为尖端,且尖端在高度方向上发生弯曲,所述弯曲渐变硅波导尖端弯曲处的宽度小于等于80nm,弯曲角度大于0度,且小于等于60度;所述尖端与所述渐变二氧化硅波导的最宽端之间的距离为d1;匹配区,其材料为折射率低于二氧化硅的匹配液,包覆于所述渐变二氧化硅波导侧壁,所述匹配区沿光耦合进入芯片的方向分为多个匹配分区,与所述渐变二氧化硅波导最宽端相接的匹配分区沿光耦合进入芯片方向的长度d0小于所述d1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉邮电科学研究院,未经武汉邮电科学研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711437296.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top