[发明专利]一种渐变匹配耦合器有效
申请号: | 201711437296.3 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN107966761B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;张宇光;胡晓;冯朋;余少华 | 申请(专利权)人: | 武汉邮电科学研究院 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122 |
代理公司: | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人: | 彭程程 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 一种渐变匹配耦合器,涉及光通信集成器件领域,包括渐变二氧化硅波导、弯曲渐变硅波导和匹配区,渐变二氧化硅波导为锥形结构,宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变窄。弯曲渐变硅波导位于渐变二氧化硅波导内,其宽度逐渐变宽,且最宽端和渐变二氧化硅波导的最窄端位于同一平面,弯曲渐变硅波导的最窄端为尖端,且发生弯曲,尖端与渐变二氧化硅波导的最宽端之间的距离为d1。匹配区材料为折射率低于二氧化硅的匹配液,包覆于渐变二氧化硅波导侧壁,匹配区沿光耦合进入芯片的方向分为多个匹配分区,与渐变二氧化硅波导最宽端相接的匹配分区的长度d0小于所述d1。本发明可以减小耦合器的长度,解决背向反射高的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 渐变 匹配 耦合器 | ||
【主权项】:
1.一种渐变匹配耦合器,其特征在于,包括:渐变二氧化硅波导,其为锥形结构,其宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变窄;弯曲渐变硅波导,其位于所述渐变二氧化硅波导内,其宽度沿光耦合进入芯片的方向逐渐变宽,且其最宽端和所述渐变二氧化硅波导的最窄端位于同一平面,所述弯曲渐变硅波导的最窄端为尖端,且尖端在高度方向上发生弯曲,所述弯曲渐变硅波导尖端弯曲处的宽度小于等于80nm,弯曲角度大于0度,且小于等于60度;所述尖端与所述渐变二氧化硅波导的最宽端之间的距离为d1;匹配区,其材料为折射率低于二氧化硅的匹配液,包覆于所述渐变二氧化硅波导侧壁,所述匹配区沿光耦合进入芯片的方向分为多个匹配分区,与所述渐变二氧化硅波导最宽端相接的匹配分区沿光耦合进入芯片方向的长度d0小于所述d1。
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