[发明专利]一种WC硬质合金薄膜及其梯度层技术室温制备方法有效
申请号: | 201711431282.0 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN108149198B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 吕建国;胡睿 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C14/16 | 分类号: | C23C14/16;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/14 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 梁群兰 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种WC硬质合金薄膜,在基底上,依次包括W底层、W‑WC梯度层、WC顶层;其中W底层为缓冲层;W‑WC梯度层为组分渐变过渡层;WC顶层为晶态WC薄膜,其X射线衍射峰为(100)峰,具有六方相结构,其W:C的原子百分比为51.8:48.2;所述WC硬质合金薄膜的显微硬度高于24GPa,与基底的附着力高于35N。本发明还公开了制备上述WC硬质合金薄膜的方法,采用直流磁控溅射方法,先在衬底上沉积W薄膜为底层薄膜作为缓冲层;然后在W底层薄膜上室温生长W‑WC梯度层薄膜;最后在W‑WC梯度层薄膜生长完成后,在其上室温生长WC薄膜,该WC薄膜即为顶层薄膜。本发明利用W‑WC梯度层技术,结合W缓冲层技术和等离子体增强技术,有效提高了室温生长WC薄膜质量。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 梯度层 硬质合金 顶层 底层薄膜 缓冲层 基底 生长 附着力 等离子体增强 缓冲层技术 六方相结构 原子百分比 薄膜生长 采用直流 磁控溅射 室温制备 显微硬度 组分渐变 过渡层 沉积 衬底 晶态 制备 | ||
【主权项】:
1.一种WC硬质合金薄膜,其特征在于:所述WC硬质合金薄膜沉积在基底上,依次包括W底层、W‑WC梯度层、WC顶层;所述W底层直接沉积在基底上,为缓冲层;所述W‑WC梯度层沉积在W底层上,为组分渐变过渡层,所述W‑WC梯度层的原子百分比由与W底层临界处的W:C=1:0,逐渐增加C的含量,到与WC顶层临界处的W:C原子百分比为51.8:48.2,接近1:1;所述WC顶层沉积在W‑WC梯度层上,为晶态WC薄膜,其X射线衍射峰为(100)峰,具有六方相结构;所述WC顶层的W:C的原子百分比为51.8:48.2。
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