[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法在审
申请号: | 201711421161.8 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108123001A | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 聂曼 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0749;C23C14/35;C23C14/06 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 周放;解立艳 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法,其包括向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体,在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材;提高基板的温度至预设温度,在第二时间段内通过磁控溅射工艺向基板溅射铜镓靶材和铟靶材;将第一功率提升至第二功率,在预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向基板溅射铜镓靶材和铟靶材。本发明提供的铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法,通过在H2Se气氛中同时溅射CuGa靶材和In靶材,使CIGS吸收层仅通过一个步骤即可溅射成型,有效简化了加工工艺,提高了生产效率和控制精度。 | ||
搜索关键词: | 靶材 溅射 吸收层 铜铟镓硒太阳能电池 基板 磁控溅射工艺 时间段 铟靶 制备 预设温度条件 硒化氢气体 惰性气体 功率提升 生产效率 腔室 预设 成型 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:向腔室中同时通入硒化氢气体和惰性气体,在第一功率下和第一时间段内通过磁控溅射工艺向室温下的基板溅射铜镓靶材和铟靶材;提高所述基板的温度至预设温度,在第二时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材;将所述第一功率提升至第二功率,在所述预设温度条件下以及在第三时间段内通过磁控溅射工艺向所述基板溅射铜镓靶材和铟靶材,以形成铜铟镓硒吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的