[发明专利]基片处理装置和基片处理方法有效
| 申请号： | 201711401085.4 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231552B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 福冈哲夫;糸永将司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在对作为处理对象的基片供给规定的气体的处理中，适当地检测异常处理。疏水化处理单元(U5)包括：收纳作为处理对象的晶片(W)的处理容器(21)；对处理容器(21)供给空气(第1空气)的开闭部(60)(第1供给部)；对处理容器(21)供给相对湿度与空气不同的HMDS气体(第2气体)的气体供给部(30)(第2供给部)；和控制器(100)(控制部)，控制器(100)基于实施了由开闭部(60)进行的空气的供给和由气体供给部(30)进行的HMDS气体的供给之后的相对湿度，来判断处理容器(21)中的气体的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：收纳作为处理对象的基片的处理容器；对所述处理容器供给第1气体的第1供给部；对所述处理容器供给相对湿度与所述第1气体不同的第2气体的第2供给部；和控制部，所述控制部基于实施了由所述第1供给部进行的所述第1气体的供给和由所述第2供给部进行的所述第2气体的供给之后的相对湿度，来判断所述处理容器中的气体的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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