[发明专利]一种太阳能异质结电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201711397698.5 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108321240A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 董刚强;陆海川;郁操 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/0725;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;苏蕾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一叠层ITO、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅层掺杂层、第二叠层ITO和第二电极，其中，所述第一叠层ITO包括第一掺水ITO透明导电层，所述第二叠层ITO包括第二掺水ITO透明导电层。本申请还提供了一种太阳能异质结电池的制备方法。本申请提供的太阳能异质结电池的光学性能优良，且电池中的各层接触良好，电池导通顺畅。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结电池 太阳能 叠层 本征非晶硅 掺杂层 钝化层 掺水 制备 电池 从上至下 单晶硅片 第二电极 第一电极 非晶硅层 光学性能 非晶硅 导通 申请 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一叠层ITO、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅层掺杂层、第二叠层ITO和第二电极，其中，所述第一叠层ITO包括第一掺水ITO透明导电层，所述第二叠层ITO包括第二掺水ITO透明导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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