[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201711383470.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108206181B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李基硕;金大益;黄有商;金奉秀;朴济民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：衬底，其包括单元有源区和外围有源区；直接接触件，其排列在形成在所述衬底上的单元绝缘图案上，并且连接至所述单元有源区；位线结构，其包括与所述直接接触件的侧表面接触的薄导电图案；以及外围栅极结构，其位于所述外围有源区。所述外围栅极结构包括外围栅极绝缘图案和外围栅极导电图案的堆叠结构，所述薄导电图案包括第一材料，并且所述外围栅极导电图案包括所述第一材料，并且所述薄导电图案的上表面的水平比所述外围栅极导电图案的上表面的水平更低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元有源区和外围有源区；直接接触件，其排列在形成于所述衬底上的单元绝缘图案上，并且连接至所述单元有源区；位线结构，其包括与所述直接接触件的侧表面接触的薄导电图案；以及外围栅极结构，其位于所述外围有源区，所述外围栅极结构包括外围栅极绝缘图案和外围栅极导电图案的堆叠结构，所述薄导电图案包括第一材料，并且所述外围栅极导电图案包括所述第一材料，并且所述薄导电图案的上表面的水平比所述外围栅极导电图案的上表面的水平更低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
