[发明专利]基于GaN材料的RGBW四色LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711382419.8 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946423A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备方法，包括选择蓝宝石作为衬底(11)；在所述衬底(11)上生长蓝光材料，其中，所述蓝光材料包括GaN；对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽；在所述红光灯芯槽中生长红光材料；对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽；在所述绿光灯芯槽中生长绿光材料；刻蚀所述蓝光材料、所述红光材料及所述绿光材料以形成白光材料；分别在所述蓝光材料、所述红光材料、所述绿光材料和所述白光材料上制备电极。本发明的有益效果有1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 材料 rgbw led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：选择蓝宝石作为衬底(11)；在所述衬底(11)上生长蓝光材料，其中，所述蓝光材料包括GaN；对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽；在所述红光灯芯槽中生长红光材料；对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽；在所述绿光灯芯槽中生长绿光材料；刻蚀所述蓝光材料、所述红光材料及所述绿光材料以形成白光材料；分别在所述蓝光材料、所述红光材料、所述绿光材料和所述白光材料上制备电极，以完成基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备。
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