[发明专利]基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片的制备方法、LED芯片和LED灯在审
| 申请号： | 201711382396.0 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946422A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片的制备方法、LED芯片和LED灯，制备方法包括在衬底上制备蓝光发光组件；在蓝光发光组件上制备红光发光组件；在蓝光发光组件上制备绿光发光组件；形成白光发光组件；在蓝光发光组件、红光发光组件、绿光发光组件和白光发光组件上制备公共正电极；在蓝光发光组件、红光发光组件、绿光发光组件及白光发光组件上制备蓝光负电极、红光负电极、绿光负电极及白光负电极，以实现基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备。本发明的有益效果有1.在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 材料 rgbw 垂直 结构 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：选择衬底(11)；在所述衬底(11)上制备蓝光发光组件，其中，所述蓝光发光组件包括GaN材料；对所述蓝光发光组件进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽；在所述红光灯芯槽中制备红光发光组件；对所述蓝光发光组件进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽；在所述绿光灯芯槽中制备绿光发光组件；刻蚀所述蓝光发光组件、所述红光发光组件及所述绿光发光组件以形成白光发光组件；在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件和所述白光发光组件上制备公共正电极；在所述蓝光发光组件、所述红光发光组件、所述绿光发光组件及所述白光发光组件上制备蓝光负电极、红光负电极、绿光负电极及白光负电极，以实现基于GaN材料的RGBW四色LED芯片的制备。
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