[发明专利]一种量子点及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201711364168.0 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN109929552A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 杨一行;聂志文 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/70 分类号: C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种量子点及其制备方法,其中,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。所述金属层能够以量子点核表面的配体作为连接纽带,从而与量子点核相键合,促使量子点核表面活化,有利于进一步的量子点外半导体壳层生长反应;同时所述金属层中的金属原子与量子点核通过上述键合所形成的晶体结构,能够有效地钝化量子点核表面、减少其表面缺陷并减小核壳之间的晶格失配,从而增强量子点材料的发光效率和尺寸均匀性。
搜索关键词: 量子点 金属层 核表面 半导体壳 包覆 键合 制备 尺寸均匀性 量子点材料 表面缺陷 发光效率 金属元素 金属原子 晶格失配 晶体结构 有效地 钝化 核壳 活化 减小 配体 纽带 生长
【主权项】:
1.一种量子点,其特征在于,所述量子点包括量子点核,包覆所述量子点核的金属层,包覆所述金属层的半导体壳层,其中,所述金属层中的金属元素选自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一种或多种。
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