[发明专利]一种硅环加工的方法在审
| 申请号： | 201711360734.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935544A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;库黎明;夏青;朱秦发;高立飞;闫志瑞 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01J37/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅环加工的方法。该方法包括以下步骤：(1)将机加工好的硅环用混酸腐蚀、清洗、吹干，去除机加工留下的表面损伤；(2)将硅环固定在离子减薄仪的空腔中的圆盘上，圆盘可经旋转轴带动360°旋转，抽真空至5×10‑3Pa，将离子枪对准硅环卡槽，并与硅环卡槽平面成一定角度夹角，旋转圆盘，给离子枪加直流高压，缓慢打开氩气阀，高压氩气进入离子枪，来回移动离子枪使得硅环卡槽表面去除均匀；(3)将硅环进行双面抛光，以抛光硅环上下其余表面，并清洗硅环。利用本发明的方法可以制造卡槽表面质量非常高的硅环，省力，无污染，无毒害。 | ||
| 搜索关键词： | 硅环 离子枪 卡槽表面 清洗 加工 表面损伤 高压氩气 混酸腐蚀 角度夹角 卡槽平面 离子减薄 双面抛光 旋转圆盘 移动离子 抽真空 机加工 加直流 去除机 旋转轴 氩气阀 抛光 吹干 卡槽 空腔 去除 省力 对准 毒害 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅环加工的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将机加工好的硅环用混酸腐蚀、清洗、吹干，去除机加工留下的表面损伤；(2)将硅环固定在离子减薄仪的空腔中的圆盘上，圆盘可经旋转轴带动360°旋转，抽真空至5×10‑3Pa，将离子枪对准硅环卡槽，并与硅环卡槽平面成一定角度夹角，旋转圆盘，给离子枪加直流高压，缓慢打开氩气阀，高压氩气进入离子枪，来回移动离子枪使得硅环卡槽表面去除均匀；(3)将硅环进行双面抛光，以抛光硅环上下其余表面，并清洗硅环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
