[发明专利]接触孔检测方法有效
申请号: | 201711346988.7 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN109935527B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种接触孔检测方法。接触孔检测方法包括步骤:1)提供一衬底,衬底具有一底层、一表层及在底层与表层之间的金属层,表层内形成有至少一个接触孔,接触孔具有侧壁和底部;2)于衬底的表层上形成一导电层,导电层更覆盖接触孔的侧壁和底部;3)向接触孔内注入电子;及,4)将导电层通电后检测接触孔的底部是否连通至金属层,并观测衬底的表面电子分布状态,衬底的表面电子分布状态包含接触孔的底部。本发明的接触孔检测方法操作简单,检测过程快速方便,尤其是在接触孔的深宽比比较大的情况下,采用本发明的接触孔检测方法能快速检测出存在底部未打开的接触孔的产品,以避免其流入下一个工艺造成更大的经济损失。 | ||
搜索关键词: | 接触 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种接触孔检测方法,其特征在于,所述接触孔检测方法包括步骤:1)提供一衬底,所述衬底具有一底层、一表层及在所述底层与所述表层之间的金属层,所述表层内形成有至少一个接触孔,所述接触孔具有侧壁和底部;2)于所述衬底的所述表层上形成一导电层,所述导电层更覆盖所述接触孔的所述侧壁和所述底部;3)向所述接触孔内注入电子;及,4)将所述导电层通电后检测所述接触孔的所述底部是否连通至所述金属层,并观测所述衬底的表面电子分布状态,所述衬底的表面电子分布状态包含所述接触孔的所述底部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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