[发明专利]一种碳纳米层包覆硅负极材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 201711339205.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109962214B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王素力;戚甫来;孙公权 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及锂离子负极材料技术领域，具体涉及一种碳纳米层包覆硅负极材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：A、制备碳前体；B、制备碳硅前体；C、制备碳纳米层包覆硅负极材料。制备的碳硅负极材料为多孔碳包覆纳米硅的纳米片结构，包覆的硅纳米粒子分布于碳层表面。包覆结构极大的降低了硅的体积膨胀；高孔隙率的多孔结构有效的缓解了硅膨胀对电极结构影响；并且碳纳米层提供了较好的导电网络。本发明包覆方法简便，原料来源广泛，价格低廉，工艺条件易控制，操作成本低，极具工业化前景。相比现行的包覆方法，具有包覆层均匀，包覆速率快等优点。本发明的碳纳米层包覆硅负极材料比容量高，循环性能和倍率性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 层包覆硅 负极 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碳硅复合负极材料，其特征在于：由硅纳米粒子嵌于碳纳米层中构成，所述硅纳米粒子的质量含量为20‑80％，硅纳米粒子的粒径为10‑100nm。
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