[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711338622.5 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108206141A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 佐藤海晴;畑佐启太;奥村知巳 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/607 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：准备第一半成品的工序，在该第一半成品中，导电性衬垫的下表面钎焊于第二导电性构件，并且在导电性衬垫的上表面设置有预备焊料；准备第二半成品的工序，在该第二半成品中，半导体元件的下表面钎焊于第一导电性构件，并且在半导体元件的上表面接合有接合线；及使第一半成品的预备焊料熔融而将第二半成品的半导体元件的上表面钎焊于第一半成品的导电性衬垫的下表面的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半成品 半导体元件 半导体装置 导电性衬垫 上表面 下表面 钎焊 焊料 导电性构件 预备 制造 接合 接合线 熔融 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，所述半导体装置具备：半导体元件；第一导电性构件，接合于所述半导体元件的下表面；第二导电性构件，经由导电性衬垫接合于所述半导体元件的上表面；及铜制的接合线，接合于所述半导体元件的所述上表面，所述制造方法包括：准备第一半成品的工序，在该第一半成品中，所述导电性衬垫的上表面钎焊于所述第二导电性构件，并且在所述导电性衬垫的下表面设置有预备焊料；准备第二半成品的工序，在该第二半成品中，所述半导体元件的所述下表面钎焊于所述第一导电性构件，并且在所述半导体元件的所述上表面接合有所述接合线；及使所述第一半成品的预备焊料熔融而将所述第二半成品的所述半导体元件的所述上表面钎焊于所述第一半成品的所述导电性衬垫的所述下表面的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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