[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711331483.3 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054259A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 祁月红 | 申请（专利权）人： | 苏州吉赛电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED芯片及其制作方法，其中，该LED芯片包括第一衬底以及依次形成于第一衬底上的第二衬底和外延层，外延层包括依次形成于衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一衬底和第二衬底由透明材质制得，第一衬底与第二衬底贴合的一侧表面凹陷形成有多个微纳结构，第一衬底的厚度大于第二衬底的厚度。这些凹陷的微纳结构可以将入射到衬底中的光进行反射，使其返回需要的出光方向，提高出光效率，且其制作工艺简单，可以有效控制LED芯片的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括第一衬底以及依次形成于所述第一衬底上的第二衬底和外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一衬底和第二衬底由透明材质制得，所述第一衬底与所述第二衬底贴合的一侧表面凹陷形成有多个微纳结构，所述第一衬底的厚度大于所述第二衬底的厚度。
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