[发明专利]高边输出三晶体模块电路在审
申请号: | 201711299628.6 | 申请日: | 2017-12-10 |
公开(公告)号: | CN107835004A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 杨明 | 申请(专利权)人: | 佛山中锦微电科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/082 | 分类号: | H03K17/082 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 528137 广东省佛山市三水中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种高边输出三晶体模块电路,包括第一晶体管Q1发射极接电源正极、集电极通过电阻R1接地、集电极还连接第三晶体管Q3的栅极和储能延时单元5的输入端,晶体管Q3源极接电源正极,晶体管Q3漏极连接Q2的集电极,晶体管Q2基极连接储能延时单元5的输出端,储能延时单元5还连接电源正极,晶体管Q2发射极通过稳压管D4连接Q1基极,晶体管Q3漏极为模块电路输出端用于为负载供电;功率管Q3正常导通的漏极电位抬高Q2集电极电位使Q1截止维持功率管导通的稳态,当功率管过流,过大的饱和压降通过Q2使Q1导通切断功率管Q3栅极供电使其截止受到保护电路进入暂稳态,此期间电容C5放电,当放电结束,电路翻转为所述稳态。 | ||
搜索关键词: | 输出 晶体 模块 电路 | ||
【主权项】:
一种高边输出三晶体模块电路,其特征在于包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、储能延时单元、阈值调整单元和电阻R1,其中:所述第一晶体管的发射极接电源正极,所述第一晶体管集电极通过电阻R1连接地,所述第一晶体管的集电极还连接第三晶体管的输入端(栅极或基极)和储能延时单元的输入端,所述第三晶体管的正极端(源极或发射极)接电源正极,所述第三晶体管的输出端(漏极或集电极)连接所述第二晶体管的集电极,所述第二晶体管的基极连接所述储能延时单元的输出端,所述储能延时单元的正极端接电源正极,所述第二晶体管的发射极通过所述阈值调整单元连接所述第一晶体管的基极,所述第三晶体管输出端(漏极或集电极)作为所述高边输出三晶体模块电路的输出端,用于控制外部负载的热端;当所述第三晶体管正常导通时,所述储能延时单元储能,所述第二晶体管集电极电压被抬高、使所述第二晶体管的发射极电流为0进而使所述第一晶体管截止;当所述第三晶体管过流致使所述第三晶体管饱和压降超过所述阈值调整单元导通阈值电压时,所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止得到保护,当所述储能延时单元的储能释放结束时使所述第二晶体管截止、进而使所述第一晶体管截止同时所述储能延时单元储能、所述第一晶体管截止还促使所述第三晶体管导通,通过电路的正反馈作用使所述第三晶体管试图迅速进入饱和导通状态:若过流解除则所述第三晶体管进入正常饱和导通状态、若持续过流则所述第三晶体管过高的饱和压降通过所述第二晶体管的发射极电流驱动第一晶体管导通使所述第三晶体管截止继续得到保护。
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