[发明专利]一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法

摘要

本发明涉及金属栅电容统计分布的估计方法。一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法，包括如下步骤：通过HSPICE软件，设定相关的变异参数，确定绝对标准偏差的大小，并进行10000次的蒙特卡罗仿真。提取MOSFET器件的栅电容参数C。将数据读取到MATLAB中并应用其统计工具箱，进行概率密度函数和累积概率函数拟合并表征；用假设检验判断统计的正确性。本发明利用密度函数、累计概率函数拟合并表征，使用假设检验判断，能在CMOS器件和电路设计早期，快速精确地预测由于MG‑WFV效应导致实际纳米器件和电路的制造性能变化的统计分布，以减少实际制造集成电路芯片性能的盲目性。

主权项

1.一种金属栅功函数变化导致栅电容统计分布的估计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，设定纳米尺度的MOSFET器件的模型参数与功函数差直接相关的一个变异参数；确定晶粒面积比值,确定一个绝对标准偏差；步骤二，将所述模型参数，所述变异参数，所述晶粒面积比值，所述标准偏差输入仿真软件，并进行蒙特卡罗仿真模拟；得到金属栅的样本空间；步骤三，计算出所述样本空间中每组金属栅样本的栅电容C；步骤四，将所述样本空间读取到MATLAB中；步骤五，将步骤三中所述栅电容读取到MATLAB中；步骤六，利用MATLAB中的Burr统计分布，对仿真的数据进行概率密度函数和累积概率函数拟合并表征；步骤七，对步骤六中拟合的结果进行最大似然判断，并进行假设检验；当假设检验置信概率大于95％，则估计过程结束；否则，从步骤二重新开始。