[发明专利]锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途

摘要

本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度，制得能够增加多级太阳能电池底电池开路电压的锗单晶片。

主权项

1.一种增加多节太阳能电池开路电压锗单晶片，其中，锗单晶片中包含掺杂剂元素硅和镓，硅的原子浓度为1×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc，且镓的原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc，优选地，硅的原子浓度为2×1014atoms/cc至8×1018atoms/cc，且镓的原子浓度为2×1016atoms/cc至9×1019atoms/cc，更优选地，硅的原子浓度为3×1014atoms/cc至7×1018atoms/cc；且镓的原子浓度为2×1016atoms/cc至8×1019atoms/cc。