[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模制造方法及显示装置制造方法有效
申请号: | 201711295074.2 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108241251B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 坪井诚治;浅川敬司;中村伊都;安森顺一 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;G03F1/32;G03F1/26;G03F1/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 朴渊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种相移掩模坯料,其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性,且形成有微细图案,用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有:第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层,第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成,铬为30~70原子%,氧为20~60原子%,氮为0.4~30原子%,第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多,第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多,中间层含有铬和碳,铬的含有率为55~90原子%,碳的含有率为10~45原子%,中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。 | ||
搜索关键词: | 相移 坯料 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种相移掩模坯料,其在透明基板上具备由铬系材料构成的相移膜,其特征在于,所述相移膜具有:构成其下层的第一功能层、构成其上层的第二功能层、配置于所述第一功能层和所述第二功能层之间的中间层,所述第一功能层及所述第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成,铬为30~70原子%,氧为20~60原子%,氮为0.4~30原子%,所述第一功能层所含的氮的含有率与所述第二功能层所含的氮的含有率相同或更多,所述第二功能层所含的氧的含有率比所述第一功能层所含的氧的含有率多,所述中间层含有铬和碳,铬的含有率为55~90原子%,碳的含有率为10~45原子%,所述中间层所含的铬的含有率比所述第一功能层、所述第二功能层所含的铬的含有率多。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711295074.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光掩模坯及其制备方法
- 下一篇:发光元件
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备