[发明专利]一种纳米棒型硒化锑太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201711293672.6 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108123000B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 李志强;李刚;梁晓杨;麦耀华;陈静伟 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 秦丽 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米棒型硒化锑太阳电池及其制备方法。所述纳米棒型硒化锑太阳电池的结构包括位于钼电极层上沿（001）方向生长的纳米棒型硒化锑层；所述硒化锑层是通过近空间升华设备快速沉积而形成，所用源是硒化锑粉末。本发明首次实现了具有（001）高取向的垂直的纳米棒状的硒化锑，该结构的硒化锑对于电流的传输非常有利，可以有效提高太阳电池的传输电流，从而有效的提高器件的光电转换效率。使用近空间设备升华设备制备的硒化锑纳米棒不需要很高的真空度及很高的温度，其设备简易，制备过程简单，适用于工业化生产，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 棒型硒化锑 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米棒型硒化锑太阳电池，其特征是，包括位于钼电极层上沿（001）方向生长的纳米棒型硒化锑层；所述硒化锑层是通过近空间升华设备快速沉积而形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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