[发明专利]一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法及存储器有效
| 申请号： | 201711288758.X | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108074619B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 罗玉祥;申景诗;赵永刚;邵飞;郭春辉 | 申请（专利权）人： | 山东航天电子技术研究所;清华大学 |
| 主分类号： | G11C19/02 | 分类号： | G11C19/02;G11C19/14 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 仇蕾安;付雷杰 |
| 地址： | 264003 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法及存储器，将存储单元与存储器CMOS的漏极连接，存储单元为三层结构，分别为铂电极层、氧化镍存储层及铂电极层；氧化镍存储层中的氧化镍呈多晶态；加载电场和/或磁场可以实现存储器的多态稳定存储，实现了存储态的扩展，显著提高宇航抗辐射存储器的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 宇航 辐射 存储器 存储 密度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高宇航抗辐射存储器存储密度的方法，其特征在于，将存储单元与存储器CMOS的漏极连接，存储单元为三层结构，分别为铂电极层、氧化镍存储层及铂电极层；所述氧化镍存储层中的氧化镍呈多晶态；加载电场和/或磁场以改变存储单元的存储态，电场方向垂直于铂电极层，磁场方向平行于铂电极层。
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