[发明专利]半导体装置的内连结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置的内连结构及其制造方法，在形成内连层的过程中形成第一介质层于基底结构上并覆盖第一层互连线，第一介质层附着在第一层互连线的侧壁上并往远离第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充间隔区域，使第一介质层中形成有一第一空气隙在间隔区域中，并且第一空气隙封闭在第一介质层中；打开第一空气隙以形成多条开槽在第一层互连线之间，并扩大开槽的空间尺寸；形成第二介质层于第一介质层上，并且第二介质层遮盖开槽的上槽口，以封闭开槽而形成一第二空气隙，第二空气隙所封闭的空间较第一空气隙所封闭的空间更大，由此能够在相邻的互连线之间形成一尺寸较大的空气隙，从而实现互连线之间有效、可靠隔离。

主权项

一种半导体装置的内连结构的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的内连结构的制造方法包括：提供一衬底；形成至少一层内连层于所述衬底上，其中，最底层内连层以所述衬底作为基底结构，上层内连层以其下方的内连层作为基底结构，所述内连层的其中至少一层是通过如下步骤形成：形成多根第一层互连线于所述基底结构上，相邻的两根所述第一层互连线之间界定出一间隔区域；形成一第一介质层于所述基底结构上并覆盖所述第一层互连线，所述第一介质层附着在所述第一层互连线的侧壁上并往远离所述第一层互连线侧壁的方向生长以非填满方式部分填充所述间隔区域，使所述第一介质层中形成有一第一空气隙在所述间隔区域中，并且所述第一空气隙封闭在所述第一介质层中；打开所述第一空气隙以形成多条开槽在所述第一层互连线之间，并扩大所述开槽的空间尺寸；及形成一第二介质层于所述第一介质层上，并且所述第二介质层遮盖所述开槽的上槽口，以封闭所述开槽而形成一第二空气隙，所述第二空气隙所封闭的空间较所述第一空气隙所封闭的空间更大。