[发明专利]一种基于聚碳酸酯模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法

摘要

本发明涉及一种基于聚碳酸酯模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法，步骤如下：准备聚四氟乙烯基底、紫铜片和多孔聚碳酸酯模板；工作电极的制备；配制酸性电解液；多孔聚碳酸酯模板的孔洞润湿；钴纳米线及钴基底的制备；洗除光刻胶：利用丙酮洗除未曝光的光刻胶，之后用去离子水清洗图形化的多孔聚碳酸酯模板表面；洗除聚碳酸酯模板：利用二氯甲烷洗除聚碳酸酯模板，即可得到图形化的纳米线阵列。

主权项

1.一种基于聚碳酸酯模板法制备图形化钴纳米线阵列的方法，包括下列步骤：(1)准备紫铜片和多孔聚碳酸酯模板；(2)工作电极的制备：将适量的武德合金加热熔化后，在紫铜片上涂覆均匀，然后将多孔聚碳酸酯模板覆于武德合金上表面；利用环氧树脂胶涂覆紫铜片背面及侧面，保证钴离子只能在多孔聚碳酸酯模板孔洞中沉积；取一根导线，一端连接紫铜片背面，另一端连接电极夹,制得工作电极；(3)涂覆光刻胶：在多孔聚碳酸酯模板上表面涂覆适量光刻胶，将所述多孔聚碳酸酯模板置于匀胶机中，使其均匀涂覆光刻胶；(4)曝光与显影：利用紫外光透过掩膜版照射已经涂覆光刻胶的多孔聚碳酸酯模板，照射过的光刻胶发生光化学反应，性质发生了变化，显影时会和显影液发生化学反应并去除；而被光刻版挡住的部分，未发生任何变化，显影时不和显影液发生反应被保留,这样光刻版的图形通过显影就能将图形留在多孔聚碳酸酯模板上；(5)配制酸性电解液：电解液包括：CoSO4 7H2O与H3BO3，摩尔浓度范围分别为0.60-0.66M/L和0.62-0.68M/L，并将pH值调节到2.5-3.5；(6)多孔聚碳酸酯模板的孔洞润湿：将图形化的多孔聚碳酸酯模板置于电解液中，使所述电解液中的钴离子进入多孔聚碳酸酯模板孔洞之中；(7)钴纳米线及钴基底的制备：将铂片对电极和工作电极置于电解液中，两电极连接至电源，通过监测沉积电流的变化情况得知钴纳米线的沉积情况，当钴纳米线已经溢出多孔聚碳酸酯模板孔洞开始沉积时停止沉积；(8)洗除光刻胶：利用丙酮洗除未曝光的光刻胶，之后用去离子水清洗图形化的多孔聚碳酸酯模板表面。(9)洗除聚碳酸酯模板：利用二氯甲烷洗除聚碳酸酯模板，即可得到图形化的纳米线阵列。