[发明专利]电压检测构造和电压检测模块有效
申请号: | 201711283874.2 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN108231616B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 片冈良太;柳原真一 | 申请(专利权)人: | 矢崎总业株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人: | 刘欣欣;张润华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种将流过导体与电压检测导体之间的过电流断开,并且能够使构成简单的电压检测构造和电压检测模块。与电池单元(2)的两个电极端子(22)中的一个电连接的连接导体(3);设置在与电压检测部电连接的电压检测导体(4)的末端部的中继端子(5)直接电连接,在中继端子(5)形成有过电流流过时熔断,与电压检测导体的延伸方向垂直的截面积(52a)小于其他部分的截面积的可熔部(52)。 | ||
搜索关键词: | 电压 检测 构造 模块 | ||
【主权项】:
1.一种电压检测构造,其特征在于,包括:连接导体,与电池单元的两个电极端子中的一个电连接;电压检测导体,与所述电极端子电连接;中继端子,设置在所述电压检测导体的末端部,将所述电压检测导体与所述连接导体电连接;模制树脂部件,内含有所述中继端子和所述连接导体的一部分,限制所述中继端子相对于所述连接导体的相对移动,所述中继端子具有过电流流过时熔断的可熔部,并且与所述连接导体直接电连接,所述可熔部的与所述电压检测导体的延伸方向垂直的截面积小于所述中继端子的与所述可熔部不同的其他部分的截面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矢崎总业株式会社,未经矢崎总业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711283874.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:确定集成芯片上的受监测层的特性的方法
- 下一篇:缺陷分析
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造