[发明专利]CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用

摘要

本发明提供了一种CdZnTe薄膜和AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法及应用，基于AlN基底生长CdZnTe薄膜并制备AlN/CdZnTe基紫外光探测器，本发明AlN/CdZnTe基紫外光探测器制备方法包括AlN衬底的制备、CdZnTe多晶升华源的准备、衬底预处理、CdZnTe薄膜的生长过程、AlN/CdZnTe基紫外光探测器的电极制作5个主要步骤。本发明方法可以在AlN衬底上快速生长大面积、高质量的CdZnTe薄膜，AlN衬底可以保证AlN/CdZnTe基紫外光探测器在极端环境下的使用，所制得的复合结构对紫外光也有着较强的光响应。

主权项

1.一种基于AlN基底的CdZnTe薄膜的生长方法，其特征在于,包括如下步骤：a.AlN衬底的准备：使用AlN粉体为原料，AlN粉体的粒径不大于1μm，在不低于1.5MPa的条件下将AlN粉体进行初次干压，然后在不低于180MPa的油压条件下进行再次干压，得到AlN素坯，然后在氮氢混合气氛环境下，并在常压下，采用高温烧结方法制备块状AlN陶瓷，然后将得到的块状AlN陶瓷打磨切割至不大于1mm的厚度，再将AlN陶瓷基片的表面抛光至镜面亮度，用作衬底基板；b.CdZnTe多晶升华源的准备：将Zn的质量百分比含量为10％的CdZnTe多晶料在研磨皿中研磨至细粉末状，用作升华源材料；c.衬底预处理：将在所述步骤a中制备的AlN陶瓷基片分别用丙酮、酒精、去离子水分别清洗至少15分钟，洗去AlN陶瓷基片表面的杂质和有机物，用氮气吹干后，放入近空间升华反应室内，作为衬底备用；d.CdZnTe薄膜的生长过程：开机械泵抽真空，将升华室内气压抽至不高于5Pa以下，开卤素灯，将升华源和衬底以不高于50℃/min的升温速度分别加热到600℃和500℃；采用近空间升华法，在衬底上生长薄膜材料至少60mins后，关闭卤素灯，待衬底上生长的薄膜材料冷却至室温后，关闭机械泵，取出负载薄膜材料的衬底，得到CdZnTe薄膜和AlN陶瓷基片结合的AlN/CdZnTe复合结构组件。