[发明专利]一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201711269602.7 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN107935037A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;杨隆凯;黄海宁;崔千;曹冰冰;王泽宇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01G23/053 | 分类号： | C01G23/053 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法，涉及纳米材料。FTO基底清洗；TiO2籽晶层制备；过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备。采用溶剂热的办法一步法直接在TiO2籽晶层上原位生长大面积、高度均匀、高度取向生长的过渡金属掺杂TiO2纳米棒阵列。且掺杂纳米棒阵列的形貌得以保持。所制备的材料成本低廉，操作简单，对设备要求很低；一步法实现过渡金属离子在纳米棒阵列中的掺杂；掺杂后，纳米棒的结晶性显著提升，且纳米棒阵列的形貌得以保持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 过渡 金属元素 掺杂 tio2 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)FTO基底清洗；2)TiO2籽晶层制备；3)过渡金属元素掺杂的TiO2纳米棒阵列的制备。
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