[发明专利]半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法

摘要

本发明提供一种半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法，该结构包括形成于有源区的反熔丝单元，该反熔丝单元包括由第一熔丝隔离层、第一绝缘层、第一导电层及第三导电层构成的第一反熔丝，由第二熔丝隔离层、第二绝缘层、第二导电层及第三导电层构成的第二反熔丝。两个反熔丝共用同一个第三导电层，由此可有效降低反熔丝单元的面积，另外反熔丝单元的绝缘层形成于沟槽内，等效增大了绝缘层的面积，所以可进一步将反熔丝的面积做的更小同时还可减小反熔丝的空间体积，最后可将芯片上的反熔丝单元配置为反熔丝矩阵结构，以进一步减小芯片中反熔丝占据的面积，从而提高半导体器件的高度集成化。

主权项

一种半导体器件反熔丝结构，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区，所述有源区包含间隔的第一沟槽及第二沟槽，反熔丝单元形成于所述有源区，其中，所述反熔丝单元包括：第一熔丝隔离层，形成于所述第一沟槽的底部及侧壁；第一导电层，填充于所述第一沟槽内，且所述第一导电层的顶面低于所述第一沟槽的顶缘；第一绝缘层，形成于所述第一沟槽内并覆盖于所述第一导电层的顶面；第二熔丝隔离层，形成于所述第二沟槽的底部及侧壁；第二导电层，填充于所述第二沟槽内，且所述第二导电层的顶面低于所述第二沟槽的顶缘；第二绝缘层，形成于所述第二沟槽内并覆盖于所述第二导电层的顶面；以及第三导电层，凸设于所述第一沟槽和第二沟槽之间的所述有源区上。