[发明专利]半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 201711248892.7 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108807150B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;郑雅如;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供的材料组成与应用其的方法，包括提供基板并形成光致抗蚀剂层于基板上。在多种实施例中，光致抗蚀剂层包括具有自由基产生剂、有机核心、与有机溶剂的金属络合物。举例来说，有机核心包括至少一交联点位。在一些实施例中，对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。在曝光工艺后，显影曝光的光致抗蚀剂层以形成图案化光致抗蚀剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制作方法，包括：提供一基板；形成一光致抗蚀剂层于该基板上，其中该光致抗蚀剂层包括具有一自由基产生剂、一有机核心、以及一有机溶剂的一金属络合物，且其中该有机核心包括至少一交联点位；对该光致抗蚀剂层进行一曝光工艺；以及在该曝光工艺后，显影曝光后的该光致抗蚀剂层以形成一图案化光致抗蚀剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
