[发明专利]TFT基板制作方法有效
| 申请号： | 201711245330.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107895713B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 江志雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。本发明能够提高显示面板的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TFT基板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、氢化膜层及图案化的光阻层，所述氢化膜层为经过氢化处理的膜层；对所述氢化膜层进行脱氢处理，形成脱氢膜层；蚀刻所述保护层和所述脱氢膜层，所述脱氢膜层的边缘相对于所述光阻层的边缘及所述保护层的边缘内缩，以在所述光阻层与所述保护层之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上第一功能膜层及位于所述基板表面的第二功能膜层，所述第一功能膜层与所述保护层之间形成所述凹槽的开口；将所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述光阻层反应，以使所述光阻层脱离所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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