[发明专利]存储器的写入算法在审
| 申请号： | 201711242526.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108806739A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 池育德;李建毅;吴正洲;邱奕介;史毅骏;威廉·J·加拉格尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露涉及存储器的写入算法。本发明实施例涉及一种用于验证存储器单元(例如非易失性存储器单元)中的写入操作的方法，其包含：执行所述存储器单元的第一读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第一电流；和比较与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流与第一预定阈值电流以确定所述写入操作是否已改变所述存储器单元的状态。如果与所述存储器单元相关联的所测量的第一电流指示所述写入操作已改变所述存储器单元的状态，那么所述方法进一步包含：执行所述存储器单元的第二读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第二电流；且比较与所述存储器单元相关联的所测量的第二电流与第二预定阈值电流以确定所述写入操作是否已将所述存储器单元的状态改变到所要状态或中间状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器单元 写入操作 测量 关联 存储器 读取操作 阈值电流 算法 写入 非易失性存储器单元 验证存储器 电流指示 中间状态 | ||
【主权项】：
1.一种用于验证存储器单元中的写入操作的方法，其包括：执行所述存储器单元的第一读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第一电流；比较与所述存储器单元相关联的所述所测量的第一电流与第一预定阈值电流以确定所述写入操作是否已改变所述存储器单元的状态；当与所述存储器单元相关联的所述所测量的第一电流指示所述写入操作已改变所述存储器单元的所述状态时，执行所述存储器单元的第二读取操作以测量与所述存储器单元相关联的第二电流；和比较与所述存储器单元相关联的所述所测量的第二电流与第二预定阈值电流以确定所述写入操作是否已将所述存储器单元的所述状态改变到所要状态或中间状态。
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