[发明专利]一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取方法

摘要

本发明公开了一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取技术，采用本发明的技术在设计被测MOSFET晶体管时，还要设计制造一个开路测试结构和短路测试结构，通过这两个专门的测试结构，能够提取测试结构的寄生参数。但是额外的开路测试结构和短路测试结构占据了专门的芯片面积，提高了芯片制造成本。

主权项

一种改进的集成电路MOSFET晶体管测试结构参数提取技术，其特征在于，包含以下步骤：A、提取焊盘寄生电容Cpg、Cpd和电阻Rpg、Rpd：-Im(Y12low)ω=-Im(Y21low)ω=Cpgd+N×Cgdo;]]>Im(Y11low-Y12low)ω=Cpg+N×Cgso;]]>Im(Y22low-Y21low)ω=Cpd+N×Cdso;]]>Re(Y11low)ω2Cpg2=Rpg;]]>Ylow是由被测器件在低频时的测试S参数转换得到。B、提取互连线寄生电感与电阻；提取步骤如下：Lg≈Im(Z11-Z12)+Cds+CjdωBω;]]>Ld≈Im(Z22-Z12)+CdsωBω;]]>Ls≈Im(Z12)+CgdωBω;]]>其中，B＝CgsCgd+(Cgs+Cgd)(Cds+Cjd)，通过低频时的Y参数，提取Cgs、Cgd和Cds；Cgs=Im(Y11+Y12)ω;]]>Cgd=Im(Y12)ω;]]>Cjd+Cds=Im(Y22+Y12)ω;]]>低频时通过如下公式提取Rg、Rd、Rs；Re(Z11-Z12)≈Rg-RsubCjd2CgsCgdB2;]]>Re(Z22-Z12)≈Rd+RsubCjd2Cgs(Cgs+Cgd)B2;]]>Re(Z12)≈Rs+RsubCjd2Cgd(Cgs+Cgd)B2;]]>Re(Y22)≈ω2(Cm2Rd+Cjd2Rsub);]]>其中参数Cm表示：Cm=Cgd+Cds+Cjd=Im(Y22)ω;]]>Cjd=Re2(Y22)ω2[Cm-Im(Y22)ω];]]>Rsub=[ωCm-Im(Y22)ω]2Re3(Y22);]]>测试结构的寄生参数提取完毕之后，MOSFET晶体管的本征参数就可以基于去嵌后的S参数提取得出。