[发明专利]一种芯片平坦化工艺在审
| 申请号： | 201711232734.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108039313A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 张少华;李善斌;刘绍侃;蒋燕港 | 申请（专利权）人： | 深圳华远微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广东深宏盾律师事务所 44364 | 代理人： | 徐文涛;李立秋 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体芯片的制作工艺，一种芯片平坦化工艺，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤6.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，剥离掉光刻胶，剥离掉多余二氧化硅；步骤7.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积一层二氧化硅，完成芯片的平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 平坦 化工 | ||
【主权项】：
1.一种芯片平坦化工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤6.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，剥离掉光刻胶，剥离掉多余二氧化硅；步骤7.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积一层二氧化硅，完成芯片的平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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