[发明专利]非同层双偏心圆太赫兹波吸收器在审
| 申请号： | 201711232403.9 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107994348A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李九生 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非同层双偏心圆太赫兹波吸收器，它包括两个耦合铜环、聚酰亚胺材料层以及介质平板；吸收器结构由上至下依次为上耦合铜环、聚酰亚胺耦合层、下耦合铜环与聚酰亚胺材料结合层、聚酰亚胺层、介质平板。上下两个铜环为非同心环，通过聚酰亚胺耦合层紧密耦合，形成频率选择表面，频率选择表面放置在介质平板上层的聚酰亚胺上；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入，由于两个耦合铜环的圆心不在一条直线上，具有一定的相差距离，所以这种非中心对称结构破坏了频率选择表面的反射对称性，导致了环与介质平板之间产生一种独特的相互作用，从而实现对对太赫兹波的吸收。本发明有结构简单紧凑、吸收性能好，太赫兹波吸收原理新颖，尺寸小，易加工等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 偏心 赫兹 吸收 | ||
【主权项】：
一种非同层双偏心圆太赫兹波吸收器，它包括两个耦合铜环、聚酰亚胺材料层以及介质平板；吸收器结构由上至下依次为上耦合铜环(5)、聚酰亚胺耦合层(4)、下耦合铜环与聚酰亚胺材料结合层(3)、聚酰亚胺层(2)、介质平板(1)；上下两个铜环为非同心环，通过聚酰亚胺耦合层(4)紧密耦合，形成频率选择表面，频率选择表面放置在介质平板(1)上层的聚酰亚胺(2)上；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入，由于两个耦合铜环的圆心不在一条直线上，具有一定的相差距离，所以这种非中心对称结构破坏了频率选择表面的反射对称性，导致了环与介质平板(1)之间产生一种独特的相互作用，从而实现对对太赫兹波的吸收。
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