[发明专利]一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法有效
| 申请号： | 201711226416.5 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108183090B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 王亮;林仲康;田丽纷;韩荣刚;唐新灵;石浩;张朋;李现兵;张喆;武伟 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/04 | 分类号： | H01L23/04;H01L25/07;H01L29/739;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 闫聪彦 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种芯片独立成型的压接式IGBT模块及其制备方法。本发明涉及电气元件制备技术领域，具体涉及大功率压接式IGBT模块封装技术领域。本发明提供的芯片结构，通过对烧结有第一导电平面和第二导电平面的半导体芯片进行绝缘外壳的包裹，能够最大限度的保护半导体芯片，避免环境对芯片的污染和破坏，降低芯片的储存环境要求苛刻度，并将储存、封装过程中有可能对半导体芯片带来损坏的风险降至最低。本发明所提供的芯片结构储存方便，环境宽松，并能够有效提高器件整体可靠性。本发明提供的压接式IGBT模块，接触热阻和接触电阻更低，器件可靠性高，早期失效率低，当其中并联的任一个芯片单元出现问题时，能够轻松进行更替。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 独立 成型 压接式 igbt 模块 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片结构，包括，依次层叠设置的第一导电平面、第一烧结层、半导体芯片、第二烧结层及第二导电平面，其特征在于，还包括绝缘外壳；所述绝缘外壳包覆所述第一导电平面的四周边缘、所述半导体芯片的四周边缘以及所述第二导电平面的四周边缘。
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