[发明专利]高速电平位移器在审
| 申请号： | 201711219152.0 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108123710A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 杨宇滔;周文昇;彭永州 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H03M1/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及一种高速电平位移器。在一方面，本发明实施例涉及一种电平位移器电路，其包含：锁存器模块，其具有第一多个PMOS晶体管及第二多个NMOS晶体管；MOS模块，其具有可操作地连接到所述锁存器模块的第三多个MOS晶体管；第四多个晶体管，其可操作地连接于所述MOS模块与接地之间；及第五多个电容器，其可操作地连接于所述锁存器模块与第四多个晶体管的栅极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电平位移器 锁存器模块 可操作地 晶体管 电容器 接地 电路 | ||
【主权项】：
一种电平位移器电路，其包括：锁存器，其具有第一多个晶体管及第二多个晶体管；第三多个晶体管，其可操作地连接到所述锁存器模块；第四多个晶体管，其可操作地连接于所述第三多个晶体管与接地之间；及多个电容器，其可操作地连接于所述锁存器模块与所述第四多个晶体管的栅极之间。
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