[发明专利]一种电沉积制备金属光子晶体的方法

摘要

本发明涉及一种电沉积制备金属光子晶体的方法，采用重力沉降自组装法在FTO基底上沉积有序性良好的光子晶体正模板，以正模板为阴极，在电解液中还原金属阳离子填充到光子晶体正模板的空隙中，通过有机溶剂除去光子晶体正模板，制备得到具有反蛋白石结构的金属光子晶体。本发明通过改变正模板的粒径大小实现了孔径从100nm至1μm的金属光子晶体的制备。本发明还通过调节阴极电流密度和沉积时间，实现了金属光子晶体厚度的可控制备。

主权项

1.一种电沉积制备金属光子晶体的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)利用乳液聚合法，制备聚合物单分散微球(1-1)将苯乙烯单体与去离子水混合，在氮气气氛、恒温、高速磁力搅拌下形成微液滴；(1-2)加入引发剂，引发聚合反应，反应持续8-12h，得到粒径均一的聚苯乙烯溶胶；(1-3)离心清洗得到的聚苯乙烯溶胶，制备得到聚合物单分散微球；(2)光子晶体正模板制备(2-1)将基底浸泡于稀释的浓氨水和双氧水的混合溶液中，12h后取出，清洗，用氮气吹干；(2-2)将聚合物单分散微球微溶解于水中形成乳液，在一定温度和湿度下，采用重力沉降自组装法使聚苯乙烯在基底上组装成膜，作为光子晶体正模板；(3)利用电沉积法将金属填充到光子晶体正模板的空隙中(3-1)在实施电沉积之前，对光子晶体正模板进行亲水性处理，增加电解液对光子晶体正模板的浸润性；(3-2)配置含有金属盐的沉积液，以光子晶体正模板为负极，Pt电极为正极，在一定电流密度下沉积一定时间，得到填充了金属的光子晶体正模板；(4)将填充了金属的光子晶体正模板浸入有机溶剂中去除模板，得到反蛋白石结构的金属光子晶体。