[发明专利]排气结构在审
| 申请号： | 201711206631.9 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109309027A | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 谢献章;林群智;石大德;吴文雄;杨俊德;苏毓仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提供一种排气结构。此排气结构包含进气段、排气段与管路段。进气段包含第一高热传导材料，并具有进气口。排气段包含第二高热传导材料，并具有排气口。管路段包含第三高热传导材料。管路段配置以将进气段连通耦合至排气段。此排气结构提供从进气口至排气口的高热传导路径。此高热传导路径包含第一高热传导材料、第二高热传导材料与第三高热传导材料。 | ||
| 搜索关键词： | 高热传导材料 排气结构 管路段 进气段 排气段 进气口 高热传导 排气口 耦合 连通 配置 | ||
【主权项】：
1.一种排气结构，其特征在于，该排气结构包含：一进气段，包含一第一高热传导材料，其中该进气段包含一进气口；一排气段，包含一第二高热传导材料，其中该排气段包含一排气口；以及一管路段，包含一第三高热传导材料，其中该管路段是配置以将该进气段连通耦合至该排气段，其中该排气结构是配置以从该进气口至该排气口提供一高热传导路径，该高热传导路径包含该第一高热传导材料、该第二高热传导材料与该第三高热传导材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
