[发明专利]电容单元

摘要

本公开实施例提供一种电容单元。电容单元包括一第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管。第一PMOS晶体管耦接于一电源供应端以及一第一节点之间，具有耦接于一第二节点的栅极。第一NMOS晶体管耦接于一接地端以及第二节点之间，具有耦接于第一节点的栅极。第二PMOS晶体管具有耦接于第二节点的漏极与栅极，以及耦接于电源供应端或是第一节点的源极。第二NMOS晶体管具有耦接于第一节点的漏极与栅极，以及耦接于接地端或是第二节点的源极。第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管形成交互耦接的解耦合结构，具有串联通道阻抗的MOS电容值，以增加静电放电保护并降低栅极漏电流。

主权项

1.一种电容单元，包括：一第一PMOS晶体管，耦接于一电源供应端以及一第一节点之间，具有耦接于一第二节点的栅极；一第一NMOS晶体管，耦接于一接地端以及上述第二节点之间，具有耦接于上述第一节点的栅极；一第二PMOS晶体管，具有耦接于上述第二节点的漏极与栅极，以及耦接于上述电源供应端或是上述第一节点的源极；以及一第二NMOS晶体管，具有耦接于上述第一节点的漏极与栅极，以及耦接于上述接地端或是上述第二节点的源极。