[发明专利]优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法

摘要

本发明提供的一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法，包括如下步骤：将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中；测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流I_BG随正电极偏压U变化的曲线，并确定探测器的击穿电压U_BD；获取背景电流I_BG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线I_BG(T)；测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流I_BB随正电极偏压U变化的曲线；获取黑体响应电流I_BB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线I_BB(T)；根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度。本发明对制备的阻挡杂质带探测器进行数据采集及数据处理得到最佳工作温度，进而根据优化后的结果设置阻挡杂质带探测器的工作温度，性能将具有最优值。

主权项

1.一种优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，制备阻挡杂质带探测器；步骤2，将阻挡杂质带探测器封装至恒温器中；步骤3，测得不同工作温度下阻挡杂质带探测器的背景电流I_BG随正电极偏压U变化的曲线，并确定探测器的击穿电压U_BD；其中背景电流I_BG为300K室温背景辐照下通过阻挡杂质带探测器的直流量，击穿电压U_BD为背景电流出现激增时的正电极偏压；步骤4，选取一个固定偏压U_F，获取当正电极偏压U＝U_F时，背景电流I_BG随阻挡杂质带探测器的工作温度T变化的曲线I_BG(T)；其中U_F的绝对值小于击穿电压U_BD的绝对值；步骤5，将黑体辐射从正面垂直照射到阻挡杂质带探测器上，经电流放大器及锁相放大器测量得到不同工作温度下阻挡杂质带探测器的黑体响应电流I_BB随正电极偏压U变化的曲线；其中黑体响应电流I_BB为黑体辐照下阻挡杂质带探测器产生的信号电流；所述步骤5包括：步骤5.1，将黑体辐射从正面垂直照射到阻挡杂质带探测器上；步骤5.2，设置并记录电流放大器的放大倍率β，所述的放大倍率β为电流放大器的互阻放大倍率，其量纲为电阻，且定义为电流放大器的输出电压与输入电流之比；步骤5.3，记录锁相放大器输出的信号电压V_S；其中信号电压V_S等于步骤5.2所述的电流放大器的输出电压；步骤5.4，计算探测器的黑体响应电流I_BB；其中黑体响应电流I_BB等于步骤5.2所述的电流放大器的输入电流，根据步骤5.2所述的放大倍率β的定义，黑体响应电流I_BB满足I_BB＝V_S/β；步骤5.5，改变探测器的工作温度及正电极偏压，重复步骤5.3及步骤5.4，得到不同工作温度下探测器的黑体响应电流I_BB随正电极偏压U变化的曲线；在步骤5中得到的不同工作温度T下探测器的黑体响应电流I_BB随正电极偏压U变化的曲线中，设置正电极偏压U为步骤4所述的固定偏压U_F，得到正电极偏压U_F下黑体响应电流I_BB随探测器工作温度T变化的曲线；步骤6，获取当正电极偏压U＝U_F时，黑体响应电流I_BB随阻挡杂质带探测器工作温度T变化的曲线I_BB(T)；步骤7，根据探测器优值因子随探测器工作温度变化的曲线确定最佳工作温度；其中探测器优值因子为I_BB/(I_BG)^1/2；通过步骤6所得曲线I_BB(T)除以步骤4所得曲线I_BG(T)，得到探测器优值因子I_BB/(I_BG)^1/2随探测器工作温度T变化的曲线；根据步骤7得到的探测器优值因子I_BB/(I_BG)^1/2随探测器工作温度T变化的曲线，将I_BB/(I_BG)^1/2取最大值时所对应的T即为探测器的最佳工作温度。