[发明专利]干刻蚀装置及干刻蚀方法在审
申请号: | 201711115335.8 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107808838A | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 肖文欢 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种干刻蚀装置,包括制程腔、排气组件以及测压组件,制程腔用以对待加工组件进行干刻蚀制程作业,排气组件用以排出干刻蚀制程中产生的制程生成物,测压组件用以实时监测制程腔中的压强;所述测压组件安装在制程腔上,所述干刻蚀装置还包括设置在所述测压组件与所述制程腔的连接处的套管,所述套管用以防止干刻蚀制程中产生的制程生成物流入测压组件内。本发明的干刻蚀装置,通过套管捕集制程生成物流入测压组件,从而避免测压组件受制程生成物的影响而出现零点漂移、维护周期短、检修成本高等问题;并且测压组件的从安装在排气组件上转到制程腔上,减少制程生成物沉积对测压组件的影响。另,本发明还公开了一种干刻蚀方法。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种干刻蚀装置,包括制程腔、至少一排气组件以及至少一测压组件,所述制程腔容置待加工组件,并对所述待加工组件进行干刻蚀制程作业,所述排气组件连接至所述制程腔,用以排出干刻蚀制程中产生的制程生成物,所述测压组件用以实时监测所述制程腔中的压强,其特征在于,所述测压组件安装在所述制程腔上,所述干刻蚀装置还包括一套管,所述套管设置于所述测压组件与所述制程腔的连接处,并与所述制程腔相连通,所述套管用以捕集制程腔流向测压组件的制程生成物,防止干刻蚀制程中产生的所述制程生成物流入所述测压组件内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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