[发明专利]半导体存储器装置的擦除控制器和半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201711083163.0 | 申请日： | 2017-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN108122587B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 车相彦;柳睿信 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/34;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张川绪;王兆赓 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体存储器装置的擦除控制器和半导体存储器装置。一种半导体存储器装置的擦除控制器包括擦除地址产生器和弱码字地址产生器。擦除地址产生器在第一擦除模式下产生针对多个存储体阵列中的第一存储体阵列中的所有码字的擦除地址。擦除地址与正常擦除操作相关联，并响应于内部擦除信号和擦除命令而改变。弱码字地址产生器在第二擦除模式下产生针对第一存储体阵列中的弱码字的弱码字地址。弱码字地址与弱擦除操作相关联，并响应于内部擦除信号而产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 擦除 控制器 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置的擦除控制器，所述擦除控制器包括：擦除地址产生器，被配置为：在第一擦除模式下产生针对多个存储体阵列中的第一存储体阵列中的所有码字的擦除地址，其中，擦除地址与正常擦除操作相关联，并且擦除地址响应于内部擦除信号和擦除命令而改变；弱码字地址产生器，被配置为：在第二擦除模式下产生针对第一存储体阵列中的弱码字的弱码字地址，其中，弱码字地址与弱擦除操作相关联，并且弱码字地址响应于内部擦除信号而产生。
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