[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺在审
| 申请号： | 201711079180.7 | 申请日： | 2017-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN107910394A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;杨少飞 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 | 代理人： | 李华,温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括步骤1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜，后沉积背接触层，并进行掺铜处理，高温退火后封装。本发明可以实现在碲化镉薄膜中掺杂硒，达到改变碲化镉薄膜带隙的目的，从而提高碲化镉薄膜太阳能电池的短路电流与转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化镉 薄膜 太阳能电池 吸收 层掺硒 工艺 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳能电池的吸收层掺硒工艺，包括以下步骤：1)依次沉积透明导电层、高电阻层及窗口层；2)在硒气氛下沉积碲化镉薄膜获得掺硒碲化镉薄膜，所述硒气氛为硒在真空条件下高温蒸发获得；3)在氯化镉气氛下高温处理掺硒碲化镉薄膜，后沉积背接触层，高温退火后封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都中建材光电材料有限公司，未经成都中建材光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711079180.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
