[发明专利]包括沟道结构的半导体器件

摘要

本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件包括设置在半导体衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。多个分隔图案设置为穿透堆叠结构。沟道结构设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间。沟道结构包括插置在堆叠结构与半导体衬底之间同时与半导体衬底接触的水平部分，并且包括在垂直方向上从水平部分延伸并穿透堆叠结构的垂直部分。下部结构插置在水平部分与分隔图案之间。电介质结构插置在垂直部分与堆叠结构之间并在水平部分与堆叠结构之间延伸。

主权项

1.一种半导体器件，包括：堆叠结构，设置在半导体衬底上，所述堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极；多个分隔图案，设置在所述半导体衬底上并穿透所述堆叠结构；沟道结构，设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间，所述沟道结构包括插置在所述堆叠结构与所述半导体衬底之间同时与所述半导体衬底接触的水平部分，并且包括在垂直方向上从所述水平部分延伸并穿透所述堆叠结构的多个垂直部分；下部结构，插置在所述水平部分与所述分隔图案之间；以及电介质结构，插置在所述多个垂直部分与所述堆叠结构之间并在所述水平部分与所述堆叠结构之间延伸。