[发明专利]一种双端转单端电路在审
| 申请号： | 201711057773.3 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107872220A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王晓羽;黄风义;张有明;唐旭升 | 申请（专利权）人： | 东南大学;南京展芯通讯科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人： | 孟红梅 |
| 地址： | 210088 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双端转单端电路，该电路包括源跟随级、共源级和隔直电容，电路输入端为INP和INN，输入差分信号，输出端为OUT，输出单路信号；INP接入源跟随级，INN接入共源级，源跟随级与共源级的输出经过隔直电容后合为一路，实现单端输出；源跟随级输出信号的相位与输入信号的相位相同，共源级输出信号的相位与输入信号的相位相反。本发明具有相位误差小，增益误差小，工作带宽宽，且不使用电感，电路版图面积小等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双端转单端 电路 | ||
【主权项】：
一种双端转单端电路，其特征在于：包括源跟随级、共源级和隔直电容，所述电路输入端为INP和INN，输入差分信号，输出端为OUT，输出单路信号；INP接入源跟随级，INN接入共源级，源跟随级与共源级的输出经过隔直电容后合为一路，实现单端输出；所述源跟随级包括PMOS晶体管M2和NMOS晶体管M4，所述共源级包括PMOS晶体管M1和NMOS晶体管M3；PMOS晶体管M2的源级和PMOS晶体管M1的漏极相连，PMOS晶体管M2的漏极接地，衬底接电源VDD，NMOS晶体管M4的源级和NMOS晶体管M3的漏极相连，NMOS晶体管M4的衬底接地，漏极接电源VDD；PMOS晶体管M1的源级和衬底接电源VDD，NMOS晶体管M3的源级和衬底接地。
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