[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201711054927.3 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108269737B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吕伟元;杨世海 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/311;H01L21/3213;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造半导体器件的方法中，在下面的结构上方形成层间介电(ILD)层。下面的结构包括设置在鳍结构的沟道区域上方的栅极结构以及设置在鳍结构的源极/漏极区域处的第一源极/漏极外延层。通过蚀刻ILD层的一部分以及第一源极/漏极外延层的上部在第一源极/漏极外延层上方形成第一开口。在蚀刻的第一源极/漏极外延层上方形成第二源极/漏极外延层。在第二源极/漏极外延层上方形成导电材料。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在下面的结构上方形成层间介电(ILD)层，所述下面的结构包括：栅极结构，设置在鳍结构的沟道区域上方；和第一源极/漏极外延层，设置在所述鳍结构的源极/漏极区域处；通过蚀刻所述层间介电层的部分以及所述第一源极/漏极外延层的上部在所述第一源极/漏极外延层上方形成第一开口；在蚀刻的第一源极/漏极外延层上方形成第二源极/漏极外延层；以及在所述第二源极/漏极外延层上方形成导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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