[发明专利]用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路在审

专利信息
申请号: 201711033078.3 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107800281A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 祝靖;陆扬扬;王浩;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M3/07
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 代理人: 柏尚春
地址: 214135 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种用于高压半桥栅驱动电路的自举电路及驱动电路,自举电路包括两端分别连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB和高侧浮动地信号VS的自举电容,连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB的结型场效应管,连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB的自举电容一端与所述结型场效应管JFET的漏端连接,结型场效应管JFET的栅端与地相连,高压半桥栅驱动电路的低侧固定电源VCC从结型场效应管的源端输入。驱动电路包括高压半桥栅驱动电路且高压半桥栅驱动电路包括自举电容,其两端分别与高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB和高侧浮动地信号VS连接,还包括如上所述的自举电路。本发明电源利用率高,电路简单。
搜索关键词: 用于 高压 半桥栅 驱动 电路
【主权项】:
一种用于高压半桥栅驱动电路的自举电路,包括:两端分别连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB和高侧浮动地信号VS的自举电容,其特征在于,还包括:连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB的结型场效应管,并且,连接于高压半桥栅驱动电路高侧浮动电源信号VB的自举电容一端与所述结型场效应管JFET的漏端连接,结型场效应管JFET的栅端与地相连,所述高压半桥栅驱动电路的低侧固定电源VCC从结型场效应管的源端输入。
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