[发明专利]含噻蒽五元稠环单元衍生物及其合成方法与应用在审
| 申请号： | 201711030383.7 | 申请日： | 2017-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN107721977A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 应磊;彭沣;钟知鸣;黄飞;曹镛 | 申请（专利权）人： | 华南协同创新研究院 |
| 主分类号： | C07D339/08 | 分类号： | C07D339/08;C07D495/04;C07F5/02;C07F7/08;C09K11/06;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 宫爱鹏 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一类含噻蒽五元稠环单元衍生物及其合成方法与应用。本发明通过三元稠环单元与苯衍生物偶联后进行关环，得到含噻蒽五元稠环单元。本发明中，噻蒽五元稠环单元是五元并环结构，有利于提高分子的荧光量子产率和热稳定性。含噻蒽五元稠环单元衍生物中，噻蒽具有一定的供电性，可以提高分子的空穴传输性能，此外噻蒽具有非平面结构，可以维持分子的单线态和三线态能级，同时抑制分子堆积。此类含噻蒽五元稠环单元衍生物可作为有机发光或主体材料，通过蒸镀和溶液加工的方法制备有机发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 含噻蒽五元稠环 单元 衍生物 及其 合成 方法 应用 | ||
【主权项】：
含噻蒽五元稠环单元衍生物，其特征在于，所述衍生物的化学结构式为以下一种：式中，X为C(R1)2、Si(R1)2、O、S、SO2或CO2；其中，R1为C1～C30的烷基链、C3～C30的环烷基、C6～C60的芳香族烃基或C3～C60的芳香族杂环基；Ar1和Ar2为氢、卤素、C6～C60的芳香族烃基、C3～C60的芳香族杂环基中的一种,所述卤素为Cl、Br、I。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南协同创新研究院，未经华南协同创新研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711030383.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
